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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
23.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
19.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
4276
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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