RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2412
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link