RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
73
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1650
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link