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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905702-029.A00G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
73
读取速度,GB/s
11.8
14.3
写入速度,GB/s
7.3
7.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1650
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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