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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
17.7
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3401
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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