RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1874
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link