RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2609
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link