RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2781
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link