RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2390
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link