RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2311
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link