RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2961
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link