RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
87
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
62
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1808
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link