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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
7.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
62
87
周辺 -40% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
62
読み出し速度、GB/s
3,155.6
16.7
書き込み速度、GB/秒
870.4
7.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
1808
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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