RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3035
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link