RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2272
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link