RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2825
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link