RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2825
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link