RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3482
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link