RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2361
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link