RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3536
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link