RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2073
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link