RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2960
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link