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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
11.8
17.5
写入速度,GB/s
7.3
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2960
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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