RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
47
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2875
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link