RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3697
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link