RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3104
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link