RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3104
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link