RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3104
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link