RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2556
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link