RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3012
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link