RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
42
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3663
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link