RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3356
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link