RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2457
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link