RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3295
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link