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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
42
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3295
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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