RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3666
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link