RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3825
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link