RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2601
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link