RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
64
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
1948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link