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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
64
Por volta de 47% menor latência
Razões a considerar
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
64
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
1948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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