RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
65
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
65
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1921
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link