RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
65
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
65
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1921
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link