RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3666
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link