RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3912
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link