RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
76
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1513
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link