RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
76
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1587
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link