RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2399
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link