RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2780
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link