RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1699
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link