RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3402
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link